Фторопласт листовой 3х1000х4000 мм ТУ 6-05-810-88

Электрическая прочность фторопласта Ф-4 для листа толщиной 1 мм при частоте 50 Гц составляет не менее 20-25 кВ/мм, и может достигать значений до 50-60 кВ/мм в зависимости от конкретных условий и качества материала. Это подтверждает его статус одного из лучших твердых диэлектриков.

Фторопласт Ф-4 листовой не обладает стойкостью к расплавленным щелочным металлам, таким как натрий и калий, а также к их растворам в аммиаке. Эти реагенты вызывают химическую деструкцию полимера. Также материал нестоек к элементарному фтору при высоких температурах и к трифториду хлора.

Фторопласт Ф-4 листовой демонстрирует выдающуюся стойкость к атмосферному старению. При хранении на открытом воздухе в течение 5 лет и более он практически не изменяет своих основных физико-механических свойств. Материал устойчив к воздействию ультрафиолетового излучения, озона, влаги и перепадов температур.

Прочность на разрыв листового фторопласта Ф-4 существенно зависит от температуры. При понижении температуры, вплоть до криогенных значений, прочность материала возрастает. С повышением температуры прочность снижается: если при 20°С она составляет 15-35 МПа, то при 250°С падает до 5-7 МПа.

Фторопласт Ф-4 листовой, соответствующий установленным санитарным нормам, допускается к применению в контакте с пищевыми жирами при температуре до 120°С благодаря его химической инертности. Возможно незначительное поверхностное поглощение жиров, что может потребовать тщательной очистки изделий.

В лабораторной практике листы фторопласта Ф-4 находят разнообразное нестандартное применение, например, в качестве химически стойких подложек для проведения реакций, изготовления крышек для лабораторной посуды, элементов вакуумных систем, вкладышей в химические реакторы и сосуды, а также для создания антипригарных поверхностей.

Фторопласт Ф-4 листовой обладает отличной химической стойкостью к 99% уксусной кислоте при температуре до 70°С. Он не набухает, не растворяется и не подвергается химическому разрушению в данной среде.